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努力了7年,中國(guó)存儲(chǔ)芯片,僅拿下全球5%左右的市場(chǎng)

2023-04-19 20:06:21 來源:維科網(wǎng)

近日,有機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)了一份2022年全球DRAM+NAND全球市場(chǎng)排名情況。


【資料圖】

從數(shù)據(jù)來看,三星一家獨(dú)占38.7%的份額,排名全球第一。然后是SK海力士,份額高達(dá)24%,也就是兩家韓系廠商合計(jì)占到了62.7%左右。

然后再是美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)。而中國(guó)存儲(chǔ)廠商,在全球的份額中,還是處于其它那一項(xiàng),與合計(jì)一起占到4.6%。

事實(shí)上,目前整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng),雖然種類繁多,比如有DRAM、有NAND、還有Nor flash等,但內(nèi)存(DRAM)和閃存(NAND Flash),兩者長(zhǎng)期占據(jù)了整個(gè)市場(chǎng)的56%和41%,在這兩大類型前面,其它的存儲(chǔ)產(chǎn)品是可以忽略的。

這也意味著,目前在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),中國(guó)廠商的聲音并不大,不到5%的份額,影響也非常有限,并沒有網(wǎng)友們認(rèn)為非常有影響力。

不過,中國(guó)存儲(chǔ)芯片從0到4.6%的份額,這個(gè)成績(jī),也確實(shí)是值得驕傲的,是肉眼可見的進(jìn)步了。

要知道,直到2017年,中國(guó)自主生產(chǎn)的內(nèi)存、閃存數(shù)量都一直是0,完完全全被卡住了脖子。

直到2016年7月,中國(guó)大陸第一家專攻NAND閃存的存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ),才低調(diào)成立。直到2017年底,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的實(shí)驗(yàn)室才誕生了第一款自主研發(fā)的3D閃存,當(dāng)時(shí)的堆疊層數(shù)只有32層,落后三星等廠商5年。

直到2018年,在中科院以及長(zhǎng)存眾多工程師的攻艱下,直到2018年,長(zhǎng)存發(fā)明了Xtacking架構(gòu)的新技術(shù),才最終讓長(zhǎng)存儲(chǔ)的閃存,迅速的追上并超過了三星、美光等廠商。

類似的故事,也發(fā)生在DRAM領(lǐng)域,專攻DRMA內(nèi)存的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ),是在2018年的才成立的。而在2019年,長(zhǎng)鑫在機(jī)緣巧合之下買到了德國(guó)內(nèi)存企業(yè)奇夢(mèng)達(dá)的遺產(chǎn):1000萬份內(nèi)存技術(shù)文件,終于DRAM內(nèi)存技術(shù)在大陸有了落地的可能。

后來慢慢的,長(zhǎng)鑫利用奇夢(mèng)達(dá)技術(shù),在DDR3、DDR4等舊款內(nèi)存市場(chǎng)上,也慢慢的站穩(wěn)了腳,雖然與三星等從產(chǎn)能、技術(shù)上來講,差距巨大,但好歹也有了自己的聲音。

這也便有了2022年,中國(guó)在DRAM+NAND市場(chǎng),有了4.6%左右的市場(chǎng)份額。

不過,大家要注意的是,目前不管是NAND閃存,還是DRAM內(nèi)存,要提升大規(guī)模制造的產(chǎn)能能力,需要龐大的資金支持。

同時(shí)其先進(jìn)制程的設(shè)備,都掌握在美國(guó)的手中,且目前美國(guó)已經(jīng)對(duì)存儲(chǔ)廠商動(dòng)起了手,先進(jìn)設(shè)備已經(jīng)限制了。

再加上其呈現(xiàn)周期性波動(dòng),有高峰有低谷,所以存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)既需要踏準(zhǔn)技術(shù)浪潮的敏銳,又依賴舉國(guó)押注的魄力,還需要長(zhǎng)期的投入,要想在這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中,取得勝利,真的不容易。

希望中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商們,能夠踩準(zhǔn)節(jié)奏,押對(duì)技術(shù),最終將韓、美廠商擊敗,讓中國(guó)存儲(chǔ)崛起于世界之巔。

原文標(biāo)題:努力了7年,中國(guó)存儲(chǔ)芯片,僅拿下全球5%左右的市場(chǎng)

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